根据TOP数码最新消息，明年国产旗舰手机将采用更快的UFS 2.0方案存储芯片，目前三星方面已经开始试产UFS 2.0存储内存，预计明年中旬上市的国产高端手机将采用，包括华为、中兴、酷派、魅族，还有一些小品牌。

目前旗舰级手机上常用的存储芯片大都支持eMMC 5.0规范，其理论上最大传输速度可达400MB/s。而据说三星和数十家国产手机厂商等正准备在下代产品中采用UFS 2.0方案的存储芯片，其理论传输速度高达1.2GB/s。

UFS 2.0使用的是串行界面，很像PATA、SATA的转换。它支持全双工运行，可同时读写操作，期间的电源管理也更高效，此外还支持指令队列。相比之下，eMMC是半双工，读写必须分开执行，指令也是打包的。

上述消息来自韩国媒体ETNews，该媒体表示三星内部人士表示，采用UFS存储芯片的智能手机将于明年上市。考虑到这项技术必然是旗舰级产品最先采用，它应该会率先出现在三星的Galaxy S6上。

另外，UFS芯片的好处不仅传输速度快，功耗也要比eMMC 5.0低一半，可谓是下一代旗舰产品的理想搭配。

但想要使用UFS 2.0存储芯片，SOC首先要支持这一规范，在目前来说似乎只有骁龙805一款可以实现对UFS 2.0的支持（不太确定）。