近期三星在技术论坛上对外公布了第八代V-NAND的细节，堆栈层数超过200层，容量可达1Tbit，512GB容量的厚度也只有0.8mm，可用于手机。目前三星使用的第七代V-NAND V7堆栈层数176层，TLC版核心容量512G，而即将推出的V-NAND V8层数有望提高到228层，存储密度也有望提高40%。

此外，V-NAND V8闪存的单颗核心容量也从之前的512G翻倍到了1T，同时性能也更强，I/O接口速率从2Gbps提升到了2.4Gbps，性能更适配最新的PCIe 5.0标准，由于存储容量更大. V-NAND V8闪存的厚度依然可以控制在合理水平，封装512GB容量也不超过0.8mm，可以用于新一代智能手机。

根据三星的工艺路线图，未来的V-NAND闪存堆栈层数还会进一步提升，最终达到500层的水平，不过有传言说三星会想办法用其他技术手段实现多达1000层的堆叠层数。